Оборудование разработано для задач, требующих высокой точности, стабильности параметров обработки и минимального термического воздействия на материал.
|
01
Лазерное скрайбирование и разделение полупроводниковых пластин
|
02
Прецизионная резка диэлектрических материалов и подложек
|
|
03
Прошивка микроотверстий фемтосекундным или пикосекундным лазером
|
04
Формирование оптических элементов в объёме прозрачных кристаллов и стёкол
|
| Скрайбирование и разделение пластин | кремний, арсенид галлия, полупроводниковые пластины |
| Прецизионная резка подложек | керамика, поликор, ситалл, HTCC, LTCC |
| Прошивка микроотверстий | диэлектрики, керамика, твёрдые материалы |
| Формирование оптических элементов | прозрачные кристаллы, стёкла, лейкосапфир, синтетический рубин |
| Обработка покрытий | хром, медь, молибден, золото, тонкоплёночные и толстоплёночные покрытия |
1. Холодная абляция без теплового повреждения
Благодаря сверхкоротким импульсам реализуется режим, при котором энергия поглощается быстрее, чем распространяется тепло. Это обеспечивает минимальную ЗТВ и идеально чистые кромки без оплавлений и микротрещин.
2. Прецизионная точность формирования структур
Стабильная пиковая мощность и точное дозирование энергии позволяет с каждым импульсом удалять материал с точностью до ±0,2 мкм, что обеспечивает субмикронную геометрию и повторяемость при производстве микрочипов, сенсоров и оптических элементов.
3. Работа в объёме материала
Благодаря возможности трёхмерной фокусировки излучения внутри прозрачных диэлектриков осуществляется внутреннее структурирование и запись оптических элементов без повреждения поверхности – например, создание волноводов, решёток и микролинз в объёме стекла или сапфира.
Современное многофункциональное ПО для быстрой и удобной работы
